参数	值
产品	功率MOSFET
型号编码	IPP200N25N3 G
说明	功率MOSFET   10mm
品牌	Infineon(英飞凌)
起订量	500
最小包	500
现货	1288 [库存更新时间：2025-04-19]
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	7100pF @ 100V
工作温度	-55°C~175°C(TJ)
漏源极电压Vds	250V
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	4V @ 270µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	86nC @ 10V
通道数量	1Channel
连续漏极电流Id	64A
Rds On(Max)@Id,Vgs	17.5mΩ
栅极电压Vgs	2V
Qg-栅极电荷	86nC
配置	Single
Pd-功率耗散(Max)	300W
高度	15.65mm
长度	10mm
系列	OptiMOS3
FET类型	N-Channel
宽度	4.4mm
正向跨导 - 最小值	61S
下降时间	12ns
上升时间	20ns
典型关闭延迟时间	45ns
典型接通延迟时间	18ns